【茨城】化合物半導体GaN基板の結晶成長技術開発（リーダー候補～リーダー）人材紹介

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オススメポイント

■世界トップクラスの総合化学メーカー

■充実の福利厚生、腰を据えての長期就業可能な環境

■国内外関係会社は700を超えるグローバル企業

【魅力・やりがい】
本ポジションの魅力は、材料の根幹となる結晶成長技術を通じて、次世代半導体の性能そのものを支えられることです。

GaN基板の大口径化、低欠陥化、低抵抗化は、半導体デバイスの性能向上や製造コストの低減に直結します。自身が確立した技術が新製品として採用され、データセンターや電力設備、産業機器などに広がっていく過程を実感できます。

また、研究室内での基礎検討にとどまらず、装置設計、プロセス開発、評価解析、歩留まり改善、量産化まで幅広く関与できます。

結晶成長を軸に、材料、設備、品質、生産技術の知識を横断的に身につけることで、化合物半導体分野のスペシャリストとして専門性を一段高められる環境です。

大手企業の研究開発基盤と事業投資のもとで、中長期的な技術課題に腰を据えて取り組みながら、まだ確立されていない技術を自ら形にしていく醍醐味があります。

https://job.brexaadvan.com/cgi-bin/jobsearch/research/search/index.cgi?c=zoom&pk=30136

【茨城】化合物半導体GaN基板の結晶成長技術開発（リーダー候補～リーダー）

給与・待遇	年収 7,499,200円～ 13,997,600円 (交通費支給あり) 月給：436,000～808,000円参考年収：7,499,200～13,997,600円残業20H/月込参考年収：8,363,440～13,997,600円 ※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。 ■福利厚生等：通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険　等 ■定年制度：65歳（60歳から変更。2022年4月度より） ■その他：社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度、勤務地希望制度 ※勤務地継続制度は管理職のみ ■社会保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険試用期間：6ヶ月　※期間中の条件変更なし
勤務地	住所：茨城県牛久市ひたち野うしく駅（車で約7分）
仕事内容	【職務内容】気相法によるGaN基板の結晶成長技術開発を中心に、これまでのご経験や専門性に応じて担当領域を決定します。主な業務は以下のとおりです。 ■次世代GaN基板の結晶成長技術開発大口径基板、低欠陥密度基板、低抵抗基板など、次世代製品の実現に向けた結晶成長条件の検討を行います。温度、圧力、原料供給量、ガス流量などの各種条件を設計し、得られた結晶の特性を評価しながら、最適な成長プロセスを構築します。 ■結晶品質の評価および原因解析結晶欠陥、抵抗値、均一性などの評価結果をもとに、品質に影響する要因を分析します。仮説の設定、実験計画の立案、試作、評価、考察を繰り返しながら、目標品質の実現を目指します。 ■既存製品の歩留まり改善、品質安定化結晶成長工程に起因する歩留まり低下や品質不良について、原因解析から改善策の立案、条件変更、効果検証まで一貫して担当します。単なるトラブル対応ではなく、再発防止や工程の安定化まで踏み込んだ技術開発を行います。 ■量産化に向けたスケールアップ、技術移管　研究段階で確立した技術を、安定的に生産できるプロセスへと展開します。　生産部門や設備部門、ウエハ加工部門、デバイス関連部門などと　連携し、量産条件の確立や製造工程への技術移管を進めます。 ■社内外の関係者との技術連携　結晶成長だけに限定せず、ウエハ加工、評価解析、品質保証、　生産技術などの各部門と協働します。　技術の上流から製品化まで幅広く関わり、自らのアイデアを　実際の製品へつなげられる環境です。【GaN事業の魅力・将来性】会社としての注力（戦略）事業です。データセンター・パワーエレクトロニクス用途、レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。未来の社会を支える基幹材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への実現に、技術者として直接貢献できます。【将来的に従事する可能性のある職務内容】会社の定める職務
勤務時間・残業	08:30～17:15（実働 7 時間 45 分）休憩： 1時間実働：7時間45分休憩：12:00～13:00 ※フレックスタイム制度あり時間外労働： 30～40時間程度／月（繁忙期で最大45時間程度。近年は改善傾向）
休日	土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他
対象となる方	【応募資格】 ■必須条件以下のすべてを満たす方・大学卒業以上・化合物半導体の結晶成長技術開発の経験をお持ちの方　または、結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験をお持ちの方 ■歓迎条件以下のいずれかの経験・知識をお持ちの方は、特に歓迎します。・大学院修士課程以上を修了された方・物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学を専攻された方・大学や大学院で化合物半導体の結晶成長を研究されていた方・半導体、電子材料、化学、素材関連業界で3年以上の実務経験をお持ちの方・GaN、窒化ガリウムの結晶成長技術開発経験をお持ちの方・化合物半導体ウエハの加工、評価、プロセス開発に関する経験をお持ちの方・技術文献の読解や海外関係者との業務に活かせる英語力をお持ちの方特に、GaNの結晶成長技術開発やウエハ加工の実務経験をお持ちの方は、即戦力として歓迎します。
業界	化学