【茨城】GaN基板の半導体プロセス開発・生産技術（リーダー候補～リーダー）人材紹介

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オススメポイント

■世界トップクラスの総合化学メーカー

■充実の福利厚生、腰を据えての長期就業可能な環境

■国内外関係会社は700を超えるグローバル企業

【このポジションの魅力】
■世界を変える技術の最前線に立つ
　GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、技術で支えることができます。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。

■「作る技術」をゼロから確立する面白さ
　「どうすれば高品質なものを安定して大量に作れるか」という量産の壁に挑むポジションです。
　出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、量産技術を創り上げていく醍醐味があります。自ら製造条件を調整し、現場を巻き込みながら課題を解決していく、あなたのアイデアと経験が、新たな標準プロセスを生み出します。

■幅広い専門性とリーダーシップを発揮する機会
　基礎的な検討から量産化まで、多様な工程・技術に携わる中で、専門性を深めるだけでなく、チームを牽引するリーダーシップも磨けます。若手育成や国内外の社外委託先との連携を通じて、技術とマネジメントの両面でキャリアを加速させることが可能です。

https://job.brexaadvan.com/cgi-bin/jobsearch/research/search/index.cgi?c=zoom&pk=30137

【茨城】GaN基板の半導体プロセス開発・生産技術（リーダー候補～リーダー）

給与・待遇	年収 7,499,200円～ 12,898,800円 (交通費支給あり) 月給：436,000～744,000円参考年収：7,499,200～12,898,800円残業20H/月込参考年収：8,363,440～12,898,800円 ※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。 ■福利厚生等：通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険　等 ■定年制度：65歳（60歳から変更。2022年4月度より） ■その他：社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度、勤務地希望制度 ※勤務地継続制度は管理職のみ ■社会保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険試用期間：6ヶ月　※期間中の条件変更なし
勤務地	住所：茨城県牛久市ひたち野うしく駅（車で約7分）
仕事内容	【職務内容】 GaN基板製造におけるシード作製工程を中心に、フォトリソグラフィ、成膜、ドライエッチング等のプロセス開発・生産技術業務をご担当いただきます。 ■フォトリソグラフィ工程の条件検討・最適化フォトレジストの塗布、露光、パターニング、現像、レジスト除去など、一連の工程条件を検討します。マスクの形状、幅、高さ、材質などは、その後のGaN結晶成長の品質を左右する重要な要素です。評価結果をもとに各条件を調整し、再現性の高いプロセスへと仕上げていきます。 ■成膜・ドライエッチング工程のプロセス開発サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDやスパッタ等を用いたマスク形成、ドライエッチングなどの条件を検討します。膜厚、均一性、加工形状、装置条件などを確認しながら、高品質なシードを安定して製造できる工程を構築します。 ■評価データ、プロセスデータの解析自ら作製したサンプルの評価・解析を行い、得られた結果を製造条件へ反映します。不具合やばらつきが生じた場合には、工程データとの相関を確認し、原因の仮説設定、検証、改善までを一貫して進めます。必要に応じて、解析方法そのものの開発にも携わります。 ■量産化に向けた生産技術の確立試作段階で得られた技術を、製造現場で安定して再現できるプロセスへ落とし込みます。製造オペレーターと連携し、作業方法や条件、指示書などを整備しながら、品質・生産性・安全性を考慮した量産体制を構築します。 ■化合物半導体のエピタキシャル成長技術開発 MOCVD等を用いた薄膜形成・結晶成長技術の開発にも携わっていただきます。 ■国内外の社外委託先との技術連携社外委託先の選定、技術的な条件調整、試作評価、課題解決などを行います。将来的には、社内外の関係者を巻き込みながらプロジェクトを推進する役割も期待されています。【募集の背景】当社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。【キャリアパス】本ポジションは、将来の技術リーダー、あるいはマネジメント職へのキャリアパスを想定しています。専門性を極めるだけでなく、チームやプロジェクトを牽引する役割を担い、当社のGaN事業をさらに発展させる中核人材としてご活躍いただけます。【テレワークの利用頻度】週1日程度のテレワークが可能です。製造現場と密接に連携するポジションのため、稼働状況によっては出社が基本となりますが、データ取りまとめ等は在宅勤務も可能です。【将来的に従事する可能性のある職務内容】会社の定める職務
勤務時間・残業	08:30～17:15（実働 7 時間 45 分）休憩： 1時間実働：7時間45分休憩：12:00～13:00 ※フレックスタイム制度あり時間外労働：平均40時間程度（個人差あり、概ね30〜40時間台）。繁忙の大きな波は少なめ。
休日	土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他
対象となる方	■必須条件・高等専門学校卒、または大学卒以上の方・物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学など、理工系分野を専攻された方・半導体、電子部品、化学、材料いずれかの業界で、製造、開発、生産技術の実務経験を3年以上お持ちの方・以下のいずれかの実務経験をお持ちの方　- GaN、SiC、Si、サファイアなどの半導体材料、または脆性材料を対象としたフォトリソグラフィプロセスの経験　- プラズマCVD、スパッタなどを用いた金属膜、酸化膜等の成膜技術の経験・フォトリソグラフィ技術または成膜技術に関する専門知識をお持ちの方・製造オペレーターなど関係者と連携し、指示書や工程条件に基づいて製造工程を推進できる方・安全を最優先に考え、ルールや手順を遵守して業務に取り組める方 ※GaNに関する実務経験をお持ちの方は特に歓迎します。 ※GaN分野の最先端知識は必須ではありません。基礎的な半導体プロセス技術をお持ちであればご応募いただけます。 ■歓迎条件・GaN、SiCなどの化合物半導体デバイス、または基板の開発・量産経験をお持ちの方・MOCVDなどを用いた化合物半導体の結晶成長、エピタキシャル成長の経験をお持ちの方・化合物半導体の評価・解析技術に関する経験をお持ちの方・熱、流体、構造などの計算機シミュレーション経験をお持ちの方・英語を使用した業務に抵抗のない方・将来的に技術リーダーとして、チーム育成やプロジェクト推進、組織マネジメントに携わりたい方 ■求める人物像・自身の専門性を活かしながら、次世代半導体材料の量産化に挑戦したい方・データや評価結果をもとに、論理的に課題を分析し、改善を進められる方・研究開発だけでなく、製造現場と連携しながら技術を実用化・量産化につなげたい方・周囲を巻き込みながら、工程改善やプロジェクトを主体的に推進できる方・将来的に専門技術とマネジメントの両面でキャリアを広げたい方
業界	化学